창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN180N15P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN180N15P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 680W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN180N15P | |
| 관련 링크 | IXFN18, IXFN180N15P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MBB02070D1000BC100 | RES 100 OHM 0.4W 0.1% AXIAL | MBB02070D1000BC100.pdf | |
![]() | Y0089723R000DP0L | RES 723 OHM 0.6W 0.5% RADIAL | Y0089723R000DP0L.pdf | |
![]() | CPR10360R0KE10 | RES 360 OHM 10W 10% RADIAL | CPR10360R0KE10.pdf | |
![]() | AT64C416AWW-7 | AT64C416AWW-7 ATMEL TSOP54 | AT64C416AWW-7.pdf | |
![]() | MJE5740 | MJE5740 ON SMD or Through Hole | MJE5740.pdf | |
![]() | NJU6417CC. | NJU6417CC. JRC DICE | NJU6417CC..pdf | |
![]() | 52465-2091 | 52465-2091 MOLEX SMD or Through Hole | 52465-2091.pdf | |
![]() | T21-AM38-08 | T21-AM38-08 DECASWITCHLAB SMD or Through Hole | T21-AM38-08.pdf | |
![]() | Y010 TEL:82766440 | Y010 TEL:82766440 NA SOT163 | Y010 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 2904Q | 2904Q TI SOP-8 | 2904Q.pdf | |
![]() | VSC452EKN-PCIE | VSC452EKN-PCIE MAXIM N A | VSC452EKN-PCIE.pdf |