창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VP3203N8-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VP3203 | |
| PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 26/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.1A(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 10mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-243AA(SOT-89) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VP3203N8-G | |
| 관련 링크 | VP3203, VP3203N8-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | 416F370X3ADT | 37MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X3ADT.pdf | |
![]() | RT0805WRD0727R4L | RES SMD 27.4 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD0727R4L.pdf | |
![]() | 88E6093-B0-LGRI000 | 88E6093-B0-LGRI000 MARVELL TQFPP | 88E6093-B0-LGRI000.pdf | |
![]() | M55310/19-B12B 40M | M55310/19-B12B 40M NS NULL | M55310/19-B12B 40M.pdf | |
![]() | YYC0161 ad0688t | YYC0161 ad0688t RENESAS SMD or Through Hole | YYC0161 ad0688t.pdf | |
![]() | 3580BM | 3580BM BB CAN-8 | 3580BM.pdf | |
![]() | H284MS8 | H284MS8 HITTITE MSOP-8 | H284MS8.pdf | |
![]() | MIPO210 | MIPO210 JAPAN DIP8 | MIPO210.pdf | |
![]() | RF3417D | RF3417D RFM 3.83.8 | RF3417D.pdf | |
![]() | EKR100/25,-10+50%,8,7X12,7 | EKR100/25,-10+50%,8,7X12,7 FROLYT SMD or Through Hole | EKR100/25,-10+50%,8,7X12,7.pdf |