창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS9953A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS9953A | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 185pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS9953A-ND FDS9953ATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS9953A | |
관련 링크 | FDS9, FDS9953A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
CW160808-12NJ | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 130 mOhm 0603 (1608 Metric) | CW160808-12NJ.pdf | ||
PR01000105603JR500 | RES 560K OHM 1W 5% AXIAL | PR01000105603JR500.pdf | ||
PA-1141-WH | PA-1141-WH ORIGINAL NEW | PA-1141-WH.pdf | ||
SN75LBC241DWRG4 | SN75LBC241DWRG4 TI SOP-28 | SN75LBC241DWRG4.pdf | ||
74S00PC | 74S00PC FSC DIP | 74S00PC.pdf | ||
24281M3/P8/M12 | 24281M3/P8/M12 ST SO-8 | 24281M3/P8/M12.pdf | ||
TSC3310 | TSC3310 TSC SOT-26 | TSC3310.pdf | ||
AM27128A-25DC | AM27128A-25DC AMD DIP | AM27128A-25DC.pdf | ||
AT88SC153-I | AT88SC153-I ATMEL SOP8 | AT88SC153-I.pdf | ||
BYW33 | BYW33 SUNMATE DO-41 | BYW33.pdf | ||
TMFLM0J156MTRF | TMFLM0J156MTRF Hitachi SMD or Through Hole | TMFLM0J156MTRF.pdf |