창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZVN0545GTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZVN0545G | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 450V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50옴 @ 100mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 70pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZVN0545GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZVN0545GTA | |
관련 링크 | ZVN054, ZVN0545GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 860020478019 | 1200µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 860020478019.pdf | |
![]() | PN645 | PN645 N/A DIP-6 | PN645.pdf | |
![]() | XC3090--70PP17SC | XC3090--70PP17SC XILINX PGA | XC3090--70PP17SC.pdf | |
![]() | M5M5278P-25 | M5M5278P-25 MIT DIP | M5M5278P-25.pdf | |
![]() | SWS100-12 | SWS100-12 LAMBDA SMD or Through Hole | SWS100-12.pdf | |
![]() | BA151M/N | BA151M/N bs SMD1812 | BA151M/N.pdf | |
![]() | PIC18LF242-I/SO | PIC18LF242-I/SO MICROCHI SOP | PIC18LF242-I/SO.pdf | |
![]() | MODSDK-R32C118 | MODSDK-R32C118 MSCDISTRI SMD or Through Hole | MODSDK-R32C118.pdf | |
![]() | DS21721 | DS21721 NS QFP | DS21721.pdf | |
![]() | 84VD22180 | 84VD22180 FUJITSU BGA | 84VD22180.pdf | |
![]() | 85770 | 85770 PHI SMD or Through Hole | 85770.pdf | |
![]() | TMP8040 | TMP8040 TOSHIBA DIP40 | TMP8040.pdf |