창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VLS201612ET-100M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VLS201612E Series, Commercial | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | VLS | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 10µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 470mA | |
| 전류 - 포화 | 470mA | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 1.026옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.063" W(2.00mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.047"(1.20mm) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 445-6617-2 VLS201612ET100M | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VLS201612ET-100M | |
| 관련 링크 | VLS201612, VLS201612ET-100M 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0336T1E4R6CD01D | 4.6pF 25V 세라믹 커패시터 T2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336T1E4R6CD01D.pdf | |
![]() | CFR-12JR-52-910R | RES 910 OHM 1/6W 5% AXIAL | CFR-12JR-52-910R.pdf | |
![]() | 6612ACBZ | 6612ACBZ INTERSIL SOP | 6612ACBZ.pdf | |
![]() | R251.062MAT1L | R251.062MAT1L ORIGINAL DIP | R251.062MAT1L.pdf | |
![]() | V66130 | V66130 ORIGINAL DFN6 | V66130.pdf | |
![]() | HZS11B3TD DIP-11V-3 | HZS11B3TD DIP-11V-3 RENESAS SMD or Through Hole | HZS11B3TD DIP-11V-3.pdf | |
![]() | S-1112B25PN-L6K-TF | S-1112B25PN-L6K-TF SEIKO SOT25 | S-1112B25PN-L6K-TF.pdf | |
![]() | 874993 | 874993 AMPMODU/WSI SMD or Through Hole | 874993.pdf | |
![]() | HZS13EB1 | HZS13EB1 HITACHI SMD or Through Hole | HZS13EB1.pdf | |
![]() | SM51C256K16-60 | SM51C256K16-60 SILICON SOJ40P | SM51C256K16-60.pdf | |
![]() | NFM51R30P507M00-60(NFW31SP507X1E4L) | NFM51R30P507M00-60(NFW31SP507X1E4L) MURATA 1206 | NFM51R30P507M00-60(NFW31SP507X1E4L).pdf |