창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VBT10202C-M3/8W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V(x)T10202C-M3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | VBT10202C-M3/8WGITR VBT10202CM38W | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VBT10202C-M3/8W | |
| 관련 링크 | VBT10202C, VBT10202C-M3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | K823M20X7RH53H5 | 0.082µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K823M20X7RH53H5.pdf | |
![]() | MLG0603P3N6ST000 | 3.6nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P3N6ST000.pdf | |
![]() | RCP0603B330RGET | RES SMD 330 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B330RGET.pdf | |
![]() | LDB15C500A0942F-001 | LDB15C500A0942F-001 MuRata SMD or Through Hole | LDB15C500A0942F-001.pdf | |
![]() | -2E | -2E PHILIPS SC-70SOT323 | -2E.pdf | |
![]() | ICA-328-SST | ICA-328-SST SAMTECINC SMD or Through Hole | ICA-328-SST.pdf | |
![]() | NL252018-8R2J | NL252018-8R2J TDK 2520 | NL252018-8R2J.pdf | |
![]() | M1557 | M1557 freescal SMD or Through Hole | M1557.pdf | |
![]() | TEA5763HN/N1 | TEA5763HN/N1 NXP QFN | TEA5763HN/N1.pdf | |
![]() | 12191901 | 12191901 Delphi SMD or Through Hole | 12191901.pdf | |
![]() | VA-A3216-140JJT | VA-A3216-140JJT CTC SMD or Through Hole | VA-A3216-140JJT.pdf | |
![]() | GTS | GTS PANDUIT SMD or Through Hole | GTS.pdf |