창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V112BB60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BA, BB Series Datasheet | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | BB | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 1665V(1.665kV) | |
배리스터 전압(통상) | 1850V(1.85kV) | |
배리스터 전압(최대) | 2035V(2.035kV) | |
전류 - 서지 | 70kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 1100VAC | |
최대 DC 전압 | 1400VDC | |
에너지 | 3800J | |
패키지/케이스 | 피복형 디스크 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
표준 포장 | 4 | |
다른 이름 | F5987 V112BB60-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V112BB60 | |
관련 링크 | V112, V112BB60 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
SIR770DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 | SIR770DP-T1-GE3.pdf | ||
STP11NM60ND | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | STP11NM60ND.pdf | ||
MC421000A32BA70/421816070 | MC421000A32BA70/421816070 NEC SIMM | MC421000A32BA70/421816070.pdf | ||
74AC11008DRG4 | 74AC11008DRG4 TI SOIC16 | 74AC11008DRG4.pdf | ||
SH035M0470A5S-1015 | SH035M0470A5S-1015 YAGEO Call | SH035M0470A5S-1015.pdf | ||
12V 1/2W(ROHS) | 12V 1/2W(ROHS) ST DO-35 | 12V 1/2W(ROHS).pdf | ||
501R29W472KV4E | 501R29W472KV4E JOHANSON SMD | 501R29W472KV4E.pdf | ||
RCH109NP-681K | RCH109NP-681K SUMIDA DIP | RCH109NP-681K.pdf | ||
W882210 | W882210 VOGT SMD or Through Hole | W882210.pdf | ||
S-60036 | S-60036 FRECOM SMD8 | S-60036.pdf | ||
2SD1767T101Q | 2SD1767T101Q RHM SMD or Through Hole | 2SD1767T101Q.pdf | ||
TLE4275G DELCO | TLE4275G DELCO INFINEON SMD or Through Hole | TLE4275G DELCO.pdf |