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Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W,S1Q

TK5Q65W,S1Q
제조업체 부품 번호
TK5Q65W,S1Q
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 5.2A DPAK
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TK5Q65W,S1Q 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK5Q65W,S1Q
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK5Q65W
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.22옴 @ 2.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 170µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds380pF @ 300V
전력 - 최대60W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 75
다른 이름TK5Q65W,S1Q(S
TK5Q65WS1Q
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TK5Q65W,S1Q
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