창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK12A50E,S4X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK12A50E | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 150 | |
| 다른 이름 | TK12A50E,S4X(S TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X(M TK12A50ES4X TK12A50ES4X(S TK12A50ES4X(S-ND TK12A50ES5X TK12A50ES5X-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK12A50E,S4X | |
| 관련 링크 | TK12A50, TK12A50E,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | CBR08C229BAGAC | 2.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C229BAGAC.pdf | |
![]() | TNPW0603680RBETA | RES SMD 680 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603680RBETA.pdf | |
![]() | AD7329BRUZ | AD7329BRUZ AD TSSOP | AD7329BRUZ.pdf | |
![]() | ICS1493K-17LF | ICS1493K-17LF IDT SMD or Through Hole | ICS1493K-17LF.pdf | |
![]() | NCP1028P065G-ON | NCP1028P065G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | NCP1028P065G-ON.pdf | |
![]() | W83303AGB | W83303AGB Winbond SMD or Through Hole | W83303AGB.pdf | |
![]() | BS616LV1010EIG55 | BS616LV1010EIG55 BSI BGA-48 | BS616LV1010EIG55.pdf | |
![]() | LT1086-1.5 | LT1086-1.5 LT TO- | LT1086-1.5.pdf | |
![]() | MXA-10D9NI | MXA-10D9NI MXDY DIP | MXA-10D9NI.pdf | |
![]() | 215PFA4ALA12FG | 215PFA4ALA12FG ATI BGA | 215PFA4ALA12FG.pdf | |
![]() | IRF6643 | IRF6643 IR SMD or Through Hole | IRF6643.pdf | |
![]() | LC99013KCS | LC99013KCS SANYO TSSOP20 | LC99013KCS.pdf |