- TESVD1C226M-12R
- 제조업체 부품 번호
- TESVD1C226M-12R
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 3
- 간단한 설명
- TESVD1C226M-12R NEC SMD or Through Hole
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TESVD1C226M-12R 가격 및 조달
가능 수량
43130 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TESVD1C226M-12R 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TESVD1C226M-12R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TESVD1C226M-12R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TESVD1C226M-12R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TESVD1C226M-12R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TESVD1C226M-12R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TESVD1C226M-12R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TESVD1C226M-12R | |
| 관련 링크 | TESVD1C22, TESVD1C226M-12R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TESVD1C226M-12R 의 관련 제품
 | APTC90DAM60T1G | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | APTC90DAM60T1G.pdf | |
| RCH875NP-5R1M | 5.1µH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 21.2 mOhm Max Radial | RCH875NP-5R1M.pdf | |
| FW80200M6OO | FW80200M6OO INTEL BGA | FW80200M6OO.pdf | |
| 8MHZ(DSX840GA) | 8MHZ(DSX840GA) KDS 4.5X8-2P | 8MHZ(DSX840GA).pdf | |
| VR61B | VR61B ORIGINAL DO-41 | VR61B.pdf | |
| ST62T25CB6(CHINA) | ST62T25CB6(CHINA) ST SMD or Through Hole | ST62T25CB6(CHINA).pdf | |
| HSEC8-120-01-L-RA-TR | HSEC8-120-01-L-RA-TR ORIGINAL SMD or Through Hole | HSEC8-120-01-L-RA-TR.pdf | |
| B65512C0000T001 | B65512C0000T001 epcos SMD or Through Hole | B65512C0000T001.pdf | |
| BX8195 | BX8195 PULSE SMD | BX8195.pdf | |
| MCRH35V337M10X16-RH | MCRH35V337M10X16-RH MULTICOMP DIP | MCRH35V337M10X16-RH.pdf | |
| GJM0336C1E7R6CB01D | GJM0336C1E7R6CB01D Murata SMD or Through Hole | GJM0336C1E7R6CB01D.pdf | |
| RCH8011NP-181LC | RCH8011NP-181LC SUMIDA SMD or Through Hole | RCH8011NP-181LC.pdf |