창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW27NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STW27NM60ND | |
기타 관련 문서 | STW27NM60ND View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 10.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-10086-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW27NM60ND | |
관련 링크 | STW27N, STW27NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
ECD-G0ER108 | 0.10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECD-G0ER108.pdf | ||
HM76-10471JLFTR7 | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 11.55 Ohm Max Nonstandard | HM76-10471JLFTR7.pdf | ||
CRCW0805464KFKTA | RES SMD 464K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805464KFKTA.pdf | ||
SLVU28 | SLVU28 SEMTECH SOP | SLVU28.pdf | ||
RM0436K5FT | RM0436K5FT ORIGINAL SMD or Through Hole | RM0436K5FT.pdf | ||
AT28HC16-70DM | AT28HC16-70DM ATMEL CDIP | AT28HC16-70DM.pdf | ||
KDC5512HEVAL | KDC5512HEVAL Intersil Onlyoriginal | KDC5512HEVAL.pdf | ||
S5D0125X01-Q0R0 | S5D0125X01-Q0R0 SAMSUNG 660pcsBOX | S5D0125X01-Q0R0.pdf | ||
1-1105850-8 | 1-1105850-8 TYCO ROHS | 1-1105850-8.pdf | ||
FD00026-AC | FD00026-AC FUKUDA TQFP | FD00026-AC.pdf | ||
HYGOUEGOA-F1P | HYGOUEGOA-F1P HYNIX BGA | HYGOUEGOA-F1P.pdf | ||
BD238 | BD238 PH TO-126 | BD238 .pdf |