창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF25N60M2-EP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STF25N60M2-EP | |
| 주요제품 | 600 V MDmesh M2 EP MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 188m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1090pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15886-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF25N60M2-EP | |
| 관련 링크 | STF25N6, STF25N60M2-EP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | SDR1045-6R8M | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 3.5A 40 mOhm Max Nonstandard | SDR1045-6R8M.pdf | |
![]() | MCT2ES1(TA)-V | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | MCT2ES1(TA)-V.pdf | |
![]() | FAN2002MPX | FAN2002MPX FAI QFN6 | FAN2002MPX.pdf | |
![]() | FQD3N50CTM_WS | FQD3N50CTM_WS FAIRCHILD SMD or Through Hole | FQD3N50CTM_WS.pdf | |
![]() | 344066D | 344066D MOT SMD or Through Hole | 344066D.pdf | |
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