창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD7LN80K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STD7LN80K5 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | The Avalanche Issue Fishbone Diagram for Power Factor Correction AN2842 Appl Note Power MOSFET Avalanche Characteristics | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.15옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 85W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-16491-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD7LN80K5 | |
| 관련 링크 | STD7LN, STD7LN80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 416F400XXCAR | 40MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400XXCAR.pdf | |
![]() | BUJ106A,127 | TRANS NPN 400V 10A TO220AB | BUJ106A,127.pdf | |
![]() | ERA-2ARC4121X | RES SMD 4.12K OHM 1/16W 0402 | ERA-2ARC4121X.pdf | |
![]() | HT2273 | HT2273 HOTCHIP SOT23-6 | HT2273.pdf | |
![]() | PI74ALVC16245V | PI74ALVC16245V PERICOM SSOP | PI74ALVC16245V.pdf | |
![]() | EL8176ISZ-T13 | EL8176ISZ-T13 Intersil 8-SOIC | EL8176ISZ-T13.pdf | |
![]() | 207489-1 | 207489-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 207489-1.pdf | |
![]() | S3GB-T3 | S3GB-T3 WTE SMD | S3GB-T3.pdf | |
![]() | APB8286C | APB8286C NET DIP-20 | APB8286C.pdf | |
![]() | 1N1118A | 1N1118A MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N1118A.pdf | |
![]() | UPD7503AG514 | UPD7503AG514 NEC QFP | UPD7503AG514.pdf |