창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQJ850EP-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQJ850EP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 10.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1225pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQJ850EP-T1-GE3 SQJ850EP-T1-GE3-ND SQJ850EP-T1_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQJ850EP-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQJ850EP-, SQJ850EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ1825Y103KBEAT4X | 10000pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y103KBEAT4X.pdf | ||
08052A430JAT2A | 43pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052A430JAT2A.pdf | ||
250NH1M | FUSE SQUARE 250A 500VAC/250VDC | 250NH1M.pdf | ||
SPMWHT325AD7YBV0S0 | LED Lighting LM362A White, Warm 3000K 5.96V 100mA 120° 2-SMD, No Lead | SPMWHT325AD7YBV0S0.pdf | ||
MRS25000C1023FCT00 | RES 102K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1023FCT00.pdf | ||
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74ALVCHS162830 | 74ALVCHS162830 TI TSSOP | 74ALVCHS162830.pdf | ||
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HY534256AS-80 | HY534256AS-80 HY DIP-20P | HY534256AS-80.pdf | ||
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MMBZ5227B/8B/3.6V | MMBZ5227B/8B/3.6V FAI SOT-23 | MMBZ5227B/8B/3.6V.pdf | ||
MRF339 | MRF339 MOT SMD or Through Hole | MRF339.pdf |