창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH12N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTx12N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH12N65X2 | |
| 관련 링크 | IXTH12, IXTH12N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | Y1746666R000T0L | RES SMD 666OHM 0.01% 0.6W J LEAD | Y1746666R000T0L.pdf | |
![]() | CP0010110R0JE14 | RES 110 OHM 10W 5% AXIAL | CP0010110R0JE14.pdf | |
![]() | MT58L128L18FT-10:A | MT58L128L18FT-10:A MICRONTECHNOLOGYINC SMD or Through Hole | MT58L128L18FT-10:A.pdf | |
![]() | PIC8012 | PIC8012 MSC CAN4 | PIC8012.pdf | |
![]() | NE5534T | NE5534T S CAN8 | NE5534T.pdf | |
![]() | C5750JB1C226M | C5750JB1C226M TDK 2220-226M | C5750JB1C226M.pdf | |
![]() | SKIIP32NAB12T10 | SKIIP32NAB12T10 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKIIP32NAB12T10.pdf | |
![]() | MX640CSA | MX640CSA N/P SMD or Through Hole | MX640CSA.pdf | |
![]() | HI1I818A-2X102 | HI1I818A-2X102 HAR SMD or Through Hole | HI1I818A-2X102.pdf | |
![]() | SDP8371 | SDP8371 HO DIP-3 | SDP8371.pdf | |
![]() | 2SC4115S-Q | 2SC4115S-Q ROHM TO-92S | 2SC4115S-Q.pdf |