창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP02N80C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPP02N80C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000683150 SPP02N80C3 SPP02N80C3IN SPP02N80C3IN-ND SPP02N80C3X SPP02N80C3XK SPP02N80C3XTIN SPP02N80C3XTIN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPP02N80C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPP02N80C, SPP02N80C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 1SS356TW11 | DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR | 1SS356TW11.pdf | |
![]() | IXFB62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 | IXFB62N80Q3.pdf | |
![]() | TNPU080533K0BZEN00 | RES SMD 33K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPU080533K0BZEN00.pdf | |
![]() | RG1005V-201-W-T1 | RES SMD 200 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-201-W-T1.pdf | |
![]() | TNPW2010604RBEEF | RES SMD 604 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010604RBEEF.pdf | |
![]() | TS5070FN-XRLA | TS5070FN-XRLA ST PLCC-28 | TS5070FN-XRLA.pdf | |
![]() | 2SJ525(TPS1ND) | 2SJ525(TPS1ND) TOSHIBA TO-126L | 2SJ525(TPS1ND).pdf | |
![]() | LMUN2235LT1G | LMUN2235LT1G LRC QQ291492342 | LMUN2235LT1G.pdf | |
![]() | 275K100D15L4 | 275K100D15L4 KEMET SMD or Through Hole | 275K100D15L4.pdf | |
![]() | TC9044.1 | TC9044.1 PHILIPS SOP24 | TC9044.1.pdf | |
![]() | CD43 5.6UH | CD43 5.6UH ORIGINAL SMD or Through Hole | CD43 5.6UH.pdf |