창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMAJ4756E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMAJ4728A thru SMAJ4764A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 35.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AC | |
| 표준 포장 | 7,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMAJ4756E3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMAJ4756E, SMAJ4756E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C0805F474K3RACTU | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805F474K3RACTU.pdf | |
![]() | 170M5983 | FUSE 350A 1000V 2TN/110 AR UR | 170M5983.pdf | |
![]() | TZX16A-TR | DIODE ZENER 16V 500MW DO35 | TZX16A-TR.pdf | |
![]() | LI0402E600R-10 | 60 Ohm Impedance Ferrite Bead 0402 (1005 Metric) Surface Mount Power, Signal Line 500mA 1 Lines 300 mOhm Max DCR -40°C ~ 125°C | LI0402E600R-10.pdf | |
![]() | SPM4012T-3R3M-CA | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 2.4A 145 mOhm Max Nonstandard | SPM4012T-3R3M-CA.pdf | |
![]() | D2901AD | D2901AD NEC DIP | D2901AD.pdf | |
![]() | 2N1006A | 2N1006A ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N1006A.pdf | |
![]() | MBM29DL323BD-90PBT-F | MBM29DL323BD-90PBT-F FUJ BGA | MBM29DL323BD-90PBT-F.pdf | |
![]() | RJ80530 SL6CW | RJ80530 SL6CW INTEL BGA | RJ80530 SL6CW.pdf | |
![]() | 8429WD059 | 8429WD059 N/A DIP | 8429WD059.pdf | |
![]() | 74HC670N | 74HC670N PHI DIP | 74HC670N.pdf |