창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE874DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIE874DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.17m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6200pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK® L | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK® L | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIE874DF-T1-GE3TR SIE874DFT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIE874DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE874DF-, SIE874DF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CS325-40.000MABJ-UT | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS325-40.000MABJ-UT.pdf | |
![]() | AT0402DRE071K69L | RES SMD 1.69KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE071K69L.pdf | |
![]() | PAT0603E1721BST1 | RES SMD 1.72KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E1721BST1.pdf | |
![]() | LLQ1V153MHSC | LLQ1V153MHSC NICHICON DIP | LLQ1V153MHSC.pdf | |
![]() | S13B | S13B ORIGINAL MSOP-8 | S13B.pdf | |
![]() | IRF3203 | IRF3203 IR TO220 | IRF3203.pdf | |
![]() | ERJ12NF1504U | ERJ12NF1504U ORIGINAL SMD or Through Hole | ERJ12NF1504U.pdf | |
![]() | ICS488LR-01 | ICS488LR-01 ICS SSOP-20 | ICS488LR-01.pdf | |
![]() | HY57V281622FTP-5 | HY57V281622FTP-5 ORIGINAL TSOP | HY57V281622FTP-5.pdf | |
![]() | M62334FP#TF5J | M62334FP#TF5J RENESA SMD or Through Hole | M62334FP#TF5J.pdf | |
![]() | M74VHCT08B | M74VHCT08B STMICROELECTRONICSSEMI SMD or Through Hole | M74VHCT08B.pdf | |
![]() | FHDS-04-T-V-T/R | FHDS-04-T-V-T/R DIPTRONICS SOP | FHDS-04-T-V-T/R.pdf |