창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA915DJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIA915DJ-T1-GE3 | |
| PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 87m옴 @ 2.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 275pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 6.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA915DJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA915DJ-, SIA915DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 2SA1586SU-GR,LF | TRANS PNP 50V 0.15A USM | 2SA1586SU-GR,LF.pdf | |
![]() | ERJ-1TNF95R3U | RES SMD 95.3 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF95R3U.pdf | |
![]() | MCR03ERTF3830 | RES SMD 383 OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF3830.pdf | |
![]() | CMF653R1600FKEK | RES 3.16 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF653R1600FKEK.pdf | |
![]() | Y00076R00000B9L | RES 6 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00076R00000B9L.pdf | |
![]() | HFA3687AIN | HFA3687AIN ORIGINAL QFP | HFA3687AIN.pdf | |
![]() | 1.5KD-5 | 1.5KD-5 SEMITEC SMD or Through Hole | 1.5KD-5.pdf | |
![]() | P13N60FI | P13N60FI ST SMD or Through Hole | P13N60FI.pdf | |
![]() | SUU50N025-06P | SUU50N025-06P VISHAY TO-251 | SUU50N025-06P.pdf | |
![]() | K4E1516110-JC | K4E1516110-JC ORIGINAL SMD or Through Hole | K4E1516110-JC.pdf | |
![]() | C8051F300-GS110 | C8051F300-GS110 SILICON SMD or Through Hole | C8051F300-GS110.pdf |