창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7742DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7742DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 115nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7742DP-T1-GE3TR SI7742DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7742DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7742DP-, SI7742DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
35ZLG56MEFC6.3X11 | 56µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 35ZLG56MEFC6.3X11.pdf | ||
7V-25.000MAAV-T | 25MHz ±30ppm 수정 8pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-25.000MAAV-T.pdf | ||
IRLR024TRL | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | IRLR024TRL.pdf | ||
CMF55512R00BER6 | RES 512 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55512R00BER6.pdf | ||
M39014/02-1320V | M39014/02-1320V AVX SMD or Through Hole | M39014/02-1320V.pdf | ||
DS1302SN-16+T | DS1302SN-16+T DALLAS WSO-16 | DS1302SN-16+T.pdf | ||
DLPD3V3LC-7 | DLPD3V3LC-7 Diodes SMD or Through Hole | DLPD3V3LC-7.pdf | ||
MICAL14 | MICAL14 OKI DFN1006-2 | MICAL14.pdf | ||
NLC565050T1R8K | NLC565050T1R8K TDK SMD or Through Hole | NLC565050T1R8K.pdf | ||
DS --* | DS --* ORIGINAL 6MicroDFN | DS --*.pdf | ||
GF139 | GF139 ORIGINAL CAN | GF139.pdf | ||
LQG18HN15NG02D | LQG18HN15NG02D MURATA SMD | LQG18HN15NG02D.pdf |