창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4628DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4628DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4628DY-T1-GE3-ND SI4628DY-T1-GE3TR SI4628DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4628DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4628DY-, SI4628DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
04023A1R0CAT2A | 1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023A1R0CAT2A.pdf | ||
VJ0402D2R2DXBAP | 2.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2DXBAP.pdf | ||
C951U472MUVDBAWL20 | 4700pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.472" Dia(12.00mm) | C951U472MUVDBAWL20.pdf | ||
ICSMK1491-06S | ICSMK1491-06S ICS SSOP28 | ICSMK1491-06S.pdf | ||
CHT4016-99F | CHT4016-99F UMS Die | CHT4016-99F.pdf | ||
532611590 | 532611590 MOLEX SMD | 532611590.pdf | ||
E1E3Z | E1E3Z NO SMD or Through Hole | E1E3Z.pdf | ||
B39941-B7700-B610( | B39941-B7700-B610( EPCOS 2X2.5-5P | B39941-B7700-B610(.pdf | ||
MSI-469L | MSI-469L MSI SMD or Through Hole | MSI-469L.pdf | ||
13F-23BNL | 13F-23BNL YDS DIP20 | 13F-23BNL.pdf | ||
76HPSB08GWRT | 76HPSB08GWRT GHY SMD or Through Hole | 76HPSB08GWRT.pdf |