Renesas Electronics America RJK6014DPP-E0#T2

RJK6014DPP-E0#T2
제조업체 부품 번호
RJK6014DPP-E0#T2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
데이터 시트 다운로드
다운로드
RJK6014DPP-E0#T2 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 3,991.00000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RJK6014DPP-E0#T2 재고가 있습니다. 우리는 Renesas Electronics America 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Renesas Electronics America 전자 부품 전문. RJK6014DPP-E0#T2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RJK6014DPP-E0#T2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RJK6014DPP-E0#T2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RJK6014DPP-E0#T2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RJK6014DPP-E0#T2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RJK6014DPP-E0#T2
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C16A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs575m옴 @ 8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs45nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
전력 - 최대35W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220FP
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RJK6014DPP-E0#T2
관련 링크RJK6014DP, RJK6014DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
RJK6014DPP-E0#T2 의 관련 제품
470µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C 10ZLG470MEFC8X11.5.pdf
RES SMD 1.8K OHM 1% 1/8W 0805 RC2012F182CS.pdf
2625D JRC DIP 2625D.pdf
DA3574A NXP SOP8 DA3574A.pdf
LE79MS74-1JC LEGERITY SMD or Through Hole LE79MS74-1JC.pdf
906D928-3 SSS SMD or Through Hole 906D928-3.pdf
DRS-3016-3-Z FUJISOKU SMD or Through Hole DRS-3016-3-Z.pdf
LM2767M5/NOPB NS SMD or Through Hole LM2767M5/NOPB.pdf
HM1-6514-5 HARRIS CDIP HM1-6514-5.pdf
ispGDX160VA-7B208I Lattice SMD or Through Hole ispGDX160VA-7B208I.pdf
ML2308GD OKI QFN48 ML2308GD.pdf
3BZ41 TOSHIBA DO-201AD 3BZ41.pdf