창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK6014DPK-00#T0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK6014DPK | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 575m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK6014DPK-00#T0 | |
관련 링크 | RJK6014DP, RJK6014DPK-00#T0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | TNPW0603213KBEEA | RES SMD 213K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603213KBEEA.pdf | |
![]() | LY2N DC24V | LY2N DC24V ORIGINAL SMD or Through Hole | LY2N DC24V.pdf | |
![]() | SN25180N | SN25180N ORIGINAL SMD or Through Hole | SN25180N.pdf | |
![]() | LGM633-011/BS | LGM633-011/BS N/A SMD or Through Hole | LGM633-011/BS.pdf | |
![]() | CR16-5111-FL | CR16-5111-FL ASJ SMD or Through Hole | CR16-5111-FL.pdf | |
![]() | CY7C420510ASC | CY7C420510ASC CYP PQFP | CY7C420510ASC.pdf | |
![]() | P31C42DFO | P31C42DFO P&B DIP-SOP | P31C42DFO.pdf | |
![]() | LA5521D | LA5521D SANYO DIP-8 | LA5521D.pdf | |
![]() | DS1747W-120ND+ | DS1747W-120ND+ MAXIM DIP | DS1747W-120ND+.pdf | |
![]() | NMC0805X5R106K10TR | NMC0805X5R106K10TR NICCOMPON SMD | NMC0805X5R106K10TR.pdf | |
![]() | MFI20122R7K | MFI20122R7K ORIGINAL O805 | MFI20122R7K.pdf |