창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0651DPB-00#J5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK0651DPB | |
PCN 조립/원산지 | Power Transistors Relocation 12/Nov/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK0651DPB-00#J5-ND RJK0651DPB-00#J5TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK0651DPB-00#J5 | |
관련 링크 | RJK0651DP, RJK0651DPB-00#J5 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
MINISMDC260F/16-2 | POLYSWITCH PTC RESET 3.0A HOLD | MINISMDC260F/16-2.pdf | ||
RT1210FRD072K2L | RES SMD 2.2K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD072K2L.pdf | ||
VC120605D150R | VC120605D150R AVX 1206-5.6VAVR | VC120605D150R.pdf | ||
HZS30-2TD | HZS30-2TD RENESAS DO34 | HZS30-2TD.pdf | ||
YAW505E | YAW505E ORIGINAL N A | YAW505E.pdf | ||
AD275AEWP | AD275AEWP MAXIM SMD | AD275AEWP.pdf | ||
FB1J3P-T1B/P36 | FB1J3P-T1B/P36 NEC SOT-23 | FB1J3P-T1B/P36.pdf | ||
7T6063(58A63M) | 7T6063(58A63M) ATMEL QFP | 7T6063(58A63M).pdf | ||
CY7C1020V32L-15ZI | CY7C1020V32L-15ZI CYPRESS TSSOP44 | CY7C1020V32L-15ZI.pdf | ||
BP45R2830S80AP | BP45R2830S80AP SSEC SMD | BP45R2830S80AP.pdf | ||
M85AD | M85AD ORIGINAL BGA | M85AD.pdf | ||
CM2831SIM | CM2831SIM CHAMPION SOT-153 | CM2831SIM.pdf |