창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJH60V2BDPE-00#J3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJH60V2BDPE | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | Trench | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 25A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 12A | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 스위칭 에너지 | 30µJ(켜기), 180µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 32nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 33ns/65ns | |
| 테스트 조건 | 300V, 12A, 5 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 25ns | |
| 패키지/케이스 | SC-83 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-LDPAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | RJH60V2BDPE-00#J3TR RJH60V2BDPE00J3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJH60V2BDPE-00#J3 | |
| 관련 링크 | RJH60V2BDP, RJH60V2BDPE-00#J3 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | STD4N52K3 | MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK | STD4N52K3.pdf | |
| CNR60A20U | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) SSR with Integrated Heat Sink | CNR60A20U.pdf | ||
![]() | M34230M4-163FP | M34230M4-163FP ORIGINAL SOP | M34230M4-163FP.pdf | |
![]() | NF49AB | NF49AB ORIGINAL SMD or Through Hole | NF49AB.pdf | |
![]() | 0603N471J500LT | 0603N471J500LT WALSIN SMD | 0603N471J500LT.pdf | |
![]() | 2SK2380 | 2SK2380 PANSONIC SOT523 | 2SK2380.pdf | |
![]() | 24IMR15-05-2 | 24IMR15-05-2 ASTEC SMD or Through Hole | 24IMR15-05-2.pdf | |
![]() | WD12-110S12 | WD12-110S12 SHANGMEI SMD or Through Hole | WD12-110S12.pdf | |
![]() | SAB82C171-35P | SAB82C171-35P SIEMENS SMD or Through Hole | SAB82C171-35P.pdf | |
![]() | ER9928TBR3 | ER9928TBR3 ORIGINAL QFP | ER9928TBR3.pdf | |
![]() | DL-234 | DL-234 donlite SMD or Through Hole | DL-234.pdf | |
![]() | MN103004KRC1 | MN103004KRC1 PANASONI BGA | MN103004KRC1.pdf |