창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG1005N-432-W-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 4.3k | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0402 | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 | 0.016"(0.40mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG1005N-432-W-T1 | |
관련 링크 | RG1005N-4, RG1005N-432-W-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
![]() | EKY-500ETD4R7ME11D | 4.7µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EKY-500ETD4R7ME11D.pdf | |
![]() | MKP1841215135W | 1500pF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP1841215135W.pdf | |
![]() | BFC233629054 | 0.22µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | BFC233629054.pdf | |
![]() | MB89P475-102PFV | MB89P475-102PFV FUJITSU LQFP48 | MB89P475-102PFV.pdf | |
![]() | F-80-14500-10-R | F-80-14500-10-R RLC SMA | F-80-14500-10-R.pdf | |
![]() | ICS8302A01 | ICS8302A01 ICS SOP-8 | ICS8302A01.pdf | |
![]() | SBM835L-13 | SBM835L-13 Diodes SMD | SBM835L-13.pdf | |
![]() | MMM6007R2 | MMM6007R2 FREESCALE BGA | MMM6007R2.pdf | |
![]() | LT3496EFE | LT3496EFE LT 28-TSSOP | LT3496EFE.pdf | |
![]() | K9K8G08U0B- | K9K8G08U0B- SAMSUNG SMD or Through Hole | K9K8G08U0B-.pdf | |
![]() | PS2703-1-E3/S | PS2703-1-E3/S NEC SOP-4 | PS2703-1-E3/S.pdf | |
![]() | L-934EB/1Y1GD | L-934EB/1Y1GD ORIGINAL SMD or Through Hole | L-934EB/1Y1GD.pdf |