창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVB6412ANT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTB,NTP6412AN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18.2m옴 @ 58A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 167W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK-3 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVB6412ANT4G | |
| 관련 링크 | NVB6412, NVB6412ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | RNCF1206BTE6K81 | RES SMD 6.81K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BTE6K81.pdf | |
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![]() | N74F02D-J | N74F02D-J PHILIPS SOP14 | N74F02D-J.pdf | |
![]() | STA417A | STA417A SANKEN ZIP | STA417A.pdf | |
![]() | 9RN4L13000360681C18 | 9RN4L13000360681C18 TOKYO SMD or Through Hole | 9RN4L13000360681C18.pdf | |
![]() | CBT3126DB-T | CBT3126DB-T NXP SMD or Through Hole | CBT3126DB-T.pdf | |
![]() | D71055L-N | D71055L-N ORIGINAL PLCC | D71055L-N.pdf | |
![]() | S1D1600FAA | S1D1600FAA EPSON QFP | S1D1600FAA.pdf | |
![]() | SIL160CT10 | SIL160CT10 SII SMD or Through Hole | SIL160CT10.pdf | |
![]() | PAL20L8-7VC | PAL20L8-7VC NSC SMD or Through Hole | PAL20L8-7VC.pdf |