창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTLJS3113PT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTLJS3113P | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | µCool™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1329pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTLJS3113PT1G-ND NTLJS3113PT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTLJS3113PT1G | |
관련 링크 | NTLJS31, NTLJS3113PT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
SI4963BDY-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | SI4963BDY-T1-GE3.pdf | ||
HT2635AGP | HT2635AGP VIA BGA | HT2635AGP.pdf | ||
STM4470(GREEN) | STM4470(GREEN) SAMHOP (SOP-8) | STM4470(GREEN).pdf | ||
PTZTE2516B 16V | PTZTE2516B 16V ROHM SMA | PTZTE2516B 16V.pdf | ||
M12GZ46 | M12GZ46 TOS TO220 | M12GZ46.pdf | ||
FOD10R-04 | FOD10R-04 ORIGINAL SMD or Through Hole | FOD10R-04.pdf | ||
R488 | R488 NEW SOP-16 | R488.pdf | ||
N30-36T-815-2UC1 | N30-36T-815-2UC1 NEWENGLANDWIRET SMD or Through Hole | N30-36T-815-2UC1.pdf | ||
BB202 (L2) | BB202 (L2) PHILIPS SOD-523 | BB202 (L2).pdf | ||
VI-J2X-CY | VI-J2X-CY VICOR SMD or Through Hole | VI-J2X-CY.pdf | ||
ATV750BQL-35LM | ATV750BQL-35LM ATMEL LCC | ATV750BQL-35LM.pdf | ||
RTE002P02F-TL | RTE002P02F-TL ROHM SOT23 | RTE002P02F-TL.pdf |