창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NE85634-T1-RE-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NE856 Series NE85634, 2SC3357 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
| 주파수 - 트랜지션 | 6.5GHz | |
| 잡음 지수(dB 통상 @ f) | 1.1dB @ 1GHz | |
| 이득 | 9dB | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 125 @ 20mA, 10V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-89 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE85634-T1-RE-A | |
| 관련 링크 | NE85634-T, NE85634-T1-RE-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
![]() | CGA4J4X7T2W333K125AA | 0.033µF 450V 세라믹 커패시터 X7T 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J4X7T2W333K125AA.pdf | |
![]() | 1825GC562KAT1A | 5600pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825GC562KAT1A.pdf | |
![]() | 445A25A12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 10pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25A12M00000.pdf | |
![]() | CPCF033K900KE66 | RES 3.9K OHM 3W 10% RADIAL | CPCF033K900KE66.pdf | |
![]() | AM79C970AVI144 | AM79C970AVI144 AMD QFP | AM79C970AVI144.pdf | |
![]() | ESRG100ELL102MJC5S | ESRG100ELL102MJC5S NIPPON DIP | ESRG100ELL102MJC5S.pdf | |
![]() | EMH11FS | EMH11FS ROHM SMD or Through Hole | EMH11FS.pdf | |
![]() | 1020W0YBQ1 | 1020W0YBQ1 ORIGINAL BGA | 1020W0YBQ1.pdf | |
![]() | SIVBA40 | SIVBA40 ORIGINAL DIP | SIVBA40.pdf | |
![]() | CF65085AMFO | CF65085AMFO TIS Call | CF65085AMFO.pdf | |
![]() | FODM2051 | FODM2051 FSC SOP4 | FODM2051.pdf |