창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDS351N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDS351N Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 1.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NDS351NTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDS351N | |
관련 링크 | NDS3, NDS351N 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
SIT9002AC-432N33DB100.00000Y | OSC XO 100MHZ SD | SIT9002AC-432N33DB100.00000Y.pdf | ||
TSL0808S-101KR80-PF | TSL0808S-101KR80-PF TDK SMD or Through Hole | TSL0808S-101KR80-PF.pdf | ||
0805-6K49 | 0805-6K49 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805-6K49.pdf | ||
HI100533NJT | HI100533NJT DARFON SMD or Through Hole | HI100533NJT.pdf | ||
HM51W18165TT-6 | HM51W18165TT-6 HITACHI SMD or Through Hole | HM51W18165TT-6.pdf | ||
CXA10 | CXA10 SONY QFN | CXA10.pdf | ||
MT9P003P12STC(A-5131EPLCC) | MT9P003P12STC(A-5131EPLCC) APTINA SMD or Through Hole | MT9P003P12STC(A-5131EPLCC).pdf | ||
PC73525-1 | PC73525-1 DDC SMD or Through Hole | PC73525-1.pdf | ||
MPSL01RLRA | MPSL01RLRA MOTOROLA TO-92 | MPSL01RLRA.pdf | ||
2007815-3 | 2007815-3 TEConnectivity SMD or Through Hole | 2007815-3.pdf | ||
SD-C02G6R2W(UDBSF) | SD-C02G6R2W(UDBSF) TOSHIBA SMD or Through Hole | SD-C02G6R2W(UDBSF).pdf | ||
SMG074 | SMG074 BOSCH SOP16 | SMG074.pdf |