창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NAN0256W3A2BN6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NAN0256W3A2BN6 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TSSOP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NAN0256W3A2BN6 | |
| 관련 링크 | NAN0256W, NAN0256W3A2BN6 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 251R15S330JV4E | 33pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S330JV4E.pdf | |
![]() | 416F48011CDR | 48MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48011CDR.pdf | |
![]() | CSD19537Q3T | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | CSD19537Q3T.pdf | |
![]() | L-07C3N6SV6T | 3.6nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 210 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07C3N6SV6T.pdf | |
![]() | M55310/19-B12A 40M00000 | M55310/19-B12A 40M00000 NS NULL | M55310/19-B12A 40M00000.pdf | |
![]() | TFMCJ54A-T | TFMCJ54A-T RECTRON SMCDO-214AB | TFMCJ54A-T.pdf | |
![]() | DAC8552IDGKTG4 | DAC8552IDGKTG4 TI SMD or Through Hole | DAC8552IDGKTG4.pdf | |
![]() | EP2S60F1020C-3N | EP2S60F1020C-3N Altera SMD or Through Hole | EP2S60F1020C-3N.pdf | |
![]() | EN29F002NT-TOJ | EN29F002NT-TOJ EON SMD or Through Hole | EN29F002NT-TOJ.pdf | |
![]() | UPD74HC4035C | UPD74HC4035C NEC DIP | UPD74HC4035C.pdf |