창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19537Q3T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19537Q3 | |
애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
주요제품 | CSD19537Q3 NexFET™ Power MOSFET | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19537Q3T Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-42632-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19537Q3T | |
관련 링크 | CSD195, CSD19537Q3T 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
MKP1840310635W | 10000pF Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP1840310635W.pdf | ||
HCPL-261A#020 | Logic Output Optoisolator 10MBd Open Collector, Schottky Clamped 5000Vrms 1 Channel 1kV/µs CMTI 8-DIP | HCPL-261A#020.pdf | ||
CMF60511K00FKEK | RES 511K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60511K00FKEK.pdf | ||
CY2287PVC-1 | CY2287PVC-1 CY SMD or Through Hole | CY2287PVC-1.pdf | ||
MP2104/OCP2150 | MP2104/OCP2150 OCS TSOT23-8 | MP2104/OCP2150.pdf | ||
ADSP21061KS-160 | ADSP21061KS-160 AD QFP240 | ADSP21061KS-160.pdf | ||
B18E120 | B18E120 infineon SOT-263 | B18E120.pdf | ||
1008CD471JTG | 1008CD471JTG PULSE SMD or Through Hole | 1008CD471JTG.pdf | ||
915370005 | 915370005 Molex SMD or Through Hole | 915370005.pdf | ||
LN1360N | LN1360N ORIGINAL DIP | LN1360N.pdf | ||
CS3361DR2G | CS3361DR2G ON SOP-14 | CS3361DR2G.pdf | ||
C1210C911F5GACTU | C1210C911F5GACTU KEMET SMD | C1210C911F5GACTU.pdf |