창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURT40005 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURT40005 thru 40020R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 125ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MURT40005GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURT40005 | |
| 관련 링크 | MURT4, MURT40005 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F30035CTT | 30MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30035CTT.pdf | |
![]() | RT0603WRB07191RL | RES SMD 191 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRB07191RL.pdf | |
![]() | CMF071K5000JKBF | RES 1.5K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF071K5000JKBF.pdf | |
![]() | JAN1N1200R | JAN1N1200R MSC DO-4 | JAN1N1200R.pdf | |
![]() | H1K5A | H1K5A NO SMD or Through Hole | H1K5A.pdf | |
![]() | TA78M12F(Q) | TA78M12F(Q) TOSHIBA SC63 | TA78M12F(Q).pdf | |
![]() | AD89002BCPZRL | AD89002BCPZRL ORIGINAL SMD | AD89002BCPZRL.pdf | |
![]() | C08J | C08J ORIGINAL TO-23-5 | C08J.pdf | |
![]() | LM2688M | LM2688M LM SOP8 | LM2688M.pdf | |
![]() | SKS30-04AT-G | SKS30-04AT-G MMC 1808 | SKS30-04AT-G.pdf | |
![]() | UET1V470MPD | UET1V470MPD nichicon SMD or Through Hole | UET1V470MPD.pdf | |
![]() | PIC16F873AI/SO | PIC16F873AI/SO ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC16F873AI/SO.pdf |