창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURF30010R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURF30005 thru MURF30020R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 150A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 150A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 100V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | TO-244AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-244 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURF30010R | |
| 관련 링크 | MURF30, MURF30010R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CL21C100JBANNND | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C100JBANNND.pdf | |
![]() | 106-120J | 12nH Unshielded Inductor 1.2A 70 mOhm Max 2-SMD | 106-120J.pdf | |
![]() | CRCW201071K5FKTF | RES SMD 71.5K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201071K5FKTF.pdf | |
![]() | NP110N04PUG-E1-AZ | NP110N04PUG-E1-AZ RENESAS SMD or Through Hole | NP110N04PUG-E1-AZ.pdf | |
![]() | AP1206P212MR | AP1206P212MR AP SOT23 | AP1206P212MR.pdf | |
![]() | UPCC1216V2 | UPCC1216V2 NEC SQL-19 | UPCC1216V2.pdf | |
![]() | 5650934-5 | 5650934-5 TYCO SMD or Through Hole | 5650934-5.pdf | |
![]() | F9 | F9 ORIGINAL SMD or Through Hole | F9.pdf | |
![]() | JA1S048D | JA1S048D bestjob SOPDIP | JA1S048D.pdf | |
![]() | MF35-1000R | MF35-1000R DYNEX SMD or Through Hole | MF35-1000R.pdf | |
![]() | LBN7019 | LBN7019 ORIGINAL SMD or Through Hole | LBN7019.pdf | |
![]() | INT-52063-TR | INT-52063-TR HEWLETT SMD or Through Hole | INT-52063-TR.pdf |