창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ4690T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ4yyyT1G, SZMMSZ4yyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ4690T3G-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ4690T3G | |
| 관련 링크 | MMSZ46, MMSZ4690T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E3X8R1H683K080AE | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X8R1H683K080AE.pdf | |
![]() | SIT8008AC-12-18E-24.000000E | OSC XO 1.8V 24MHZ OE | SIT8008AC-12-18E-24.000000E.pdf | |
![]() | ERA-1AEB1071C | RES SMD 1.07KOHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB1071C.pdf | |
![]() | 2SK1095-E | 2SK1095-E RENESAS SMD or Through Hole | 2SK1095-E.pdf | |
![]() | B57745 | B57745 STM TO220-7 | B57745.pdf | |
![]() | MVR22HXBRN301 300R | MVR22HXBRN301 300R ROHM 2 2 | MVR22HXBRN301 300R.pdf | |
![]() | 82857EI | 82857EI INTEL BGA | 82857EI.pdf | |
![]() | GC-PST3519NR | GC-PST3519NR PBF TO23-5 | GC-PST3519NR.pdf | |
![]() | 212097 | 212097 ORIGINAL TSSOP20 | 212097.pdf | |
![]() | 185051-001 | 185051-001 MIT BGA | 185051-001.pdf | |
![]() | 41642-W | 41642-W Delevan SMD or Through Hole | 41642-W.pdf |