창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBF170-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBF170 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011  | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 200mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 40pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBF170-FDITR  MMBF1707F  | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBF170-7-F | |
| 관련 링크 | MMBF17, MMBF170-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]()  | 1-2176073-1 | RES SMD 681 OHM 0.5% 1/32W 0201 | 1-2176073-1.pdf | |
![]()  | Y1747V0180QT9R | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC | Y1747V0180QT9R.pdf | |
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![]()  | LF-210N | LF-210N TOKIN ACDC | LF-210N.pdf | |
![]()  | DAC80P-CBI | DAC80P-CBI BB DIP | DAC80P-CBI.pdf | |
![]()  | AD4853-1AKSZ | AD4853-1AKSZ AD SOT-363 | AD4853-1AKSZ.pdf | |
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![]()  | FX6-80S-0.8SV2(23) | FX6-80S-0.8SV2(23) HRS SMD or Through Hole | FX6-80S-0.8SV2(23).pdf | |
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![]()  | MMBTH102T1G | MMBTH102T1G LRC SOT-23 | MMBTH102T1G.pdf | |
![]()  | GMACPD2CE | GMACPD2CE MMC SMD or Through Hole | GMACPD2CE.pdf |