창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JS1-9VDC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | JS1-9VDC | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | JS1-9VDC | |
| 관련 링크 | JS1-, JS1-9VDC 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D2R7CLAAC | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R7CLAAC.pdf | |
![]() | VJ2220A392KBEAT4X | 3900pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A392KBEAT4X.pdf | |
![]() | P6KE18A-TB | TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC AXIAL | P6KE18A-TB.pdf | |
![]() | SI4800BDY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | SI4800BDY-T1-E3.pdf | |
![]() | 5400R-336G | 33mH Unshielded Inductor 113mA 3.5 Ohm Max Radial | 5400R-336G.pdf | |
![]() | LSI2064VE/135LT100 | LSI2064VE/135LT100 LATTICE SMD or Through Hole | LSI2064VE/135LT100.pdf | |
![]() | RG82852GME SL72K | RG82852GME SL72K INTEL BGA | RG82852GME SL72K.pdf | |
![]() | MAX828EUKT | MAX828EUKT MAX SMD or Through Hole | MAX828EUKT.pdf | |
![]() | TSI107CPX100JE | TSI107CPX100JE N/A N A | TSI107CPX100JE.pdf | |
![]() | PM108Z/883 | PM108Z/883 PMI DIP-8P | PM108Z/883.pdf |