창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4800BDY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si4800BDY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18.5m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4800BDY-T1-E3TR SI4800BDYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4800BDY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4800BDY, SI4800BDY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RO3144E-2 | 916.5MHz SAW Resonator -40°C ~ 125°C Surface Mount | RO3144E-2.pdf | ||
XPEHEW-L1-R250-00BE7 | LED Lighting XLamp® XP-E HEW White, Warm 3000K 3V 350mA 120° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPEHEW-L1-R250-00BE7.pdf | ||
RN142-4-02 | 3.3mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 4A (Typ) DCR 66 mOhm (Typ) | RN142-4-02.pdf | ||
TNPW251273R2BEEG | RES SMD 73.2 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251273R2BEEG.pdf | ||
0805 331J | 0805 331J KAMAYA SMD0805 | 0805 331J.pdf | ||
1775I | 1775I LINEAR SMD or Through Hole | 1775I.pdf | ||
MC74F02DR2 | MC74F02DR2 MOT SMD-14 | MC74F02DR2.pdf | ||
AM26C32INS | AM26C32INS TI SOP | AM26C32INS.pdf | ||
TC531000C | TC531000C TOS DIP | TC531000C.pdf | ||
5STP18M5800 | 5STP18M5800 ABB SMD or Through Hole | 5STP18M5800.pdf | ||
CB2012-100T(f) | CB2012-100T(f) HKT SMD or Through Hole | CB2012-100T(f).pdf | ||
SDRH5D28-180M | SDRH5D28-180M SDE SMD | SDRH5D28-180M.pdf |