창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX32N80P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)32N80P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 830W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX32N80P | |
| 관련 링크 | IXFX32, IXFX32N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445W32G30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 30pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32G30M00000.pdf | |
![]() | TC124-FR-07100KL | RES ARRAY 4 RES 100K OHM 0804 | TC124-FR-07100KL.pdf | |
![]() | AD7118UQ/883B | AD7118UQ/883B AD SMD or Through Hole | AD7118UQ/883B.pdf | |
![]() | MCP3422EV | MCP3422EV Microchip Onlyoriginal | MCP3422EV.pdf | |
![]() | KH208-810B68R | KH208-810B68R ORIGINAL SMD or Through Hole | KH208-810B68R.pdf | |
![]() | A181-000E | A181-000E AVAGO SOP | A181-000E.pdf | |
![]() | MIC58P42YWM | MIC58P42YWM MICREL SOP18 | MIC58P42YWM.pdf | |
![]() | TPD4E001DBVTE4 | TPD4E001DBVTE4 TI- SOT23-6 | TPD4E001DBVTE4.pdf | |
![]() | J5D3 | J5D3 EDAL SMD or Through Hole | J5D3.pdf | |
![]() | FMA21N60Q | FMA21N60Q FUJI TO-247 | FMA21N60Q.pdf | |
![]() | HISENSE-8853-3 | HISENSE-8853-3 HISENSE DIP-64 | HISENSE-8853-3.pdf | |
![]() | LQH3N1R5M04M00-01 | LQH3N1R5M04M00-01 MURATA 3225-1R5M | LQH3N1R5M04M00-01.pdf |