창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK100N25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(X,K)100N25 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 560W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK100N25 | |
| 관련 링크 | IXFK10, IXFK100N25 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | 684PPB102K | 0.68µF Film Capacitor 600V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.673" L x 1.102" W (42.50mm x 28.00mm) | 684PPB102K.pdf | |
| SIR892DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 | SIR892DP-T1-GE3.pdf | ||
![]() | 1782-89J | 750µH Unshielded Molded Inductor 29mA 65 Ohm Max Axial | 1782-89J.pdf | |
![]() | M41000002L | M41000002L AMD BGA | M41000002L.pdf | |
![]() | MCT817C | MCT817C FSC/QTC DIP SOP | MCT817C.pdf | |
![]() | 9535B | 9535B TM SOP-8 | 9535B.pdf | |
![]() | 2SC1741-S by ROHM | 2SC1741-S by ROHM ROHM SMD or Through Hole | 2SC1741-S by ROHM.pdf | |
![]() | FAR-F5EB-881M50-B2JJ | FAR-F5EB-881M50-B2JJ FUJITSU 3KREEL10831992 | FAR-F5EB-881M50-B2JJ.pdf | |
![]() | Z0853004CMB | Z0853004CMB ZILOG DIP | Z0853004CMB.pdf | |
![]() | T520V227M006AS | T520V227M006AS ORIGINAL SMD or Through Hole | T520V227M006AS.pdf |