창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH20N60Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)20N60Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH20N60Q | |
| 관련 링크 | IXFH20, IXFH20N60Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | E82D630VNN472MR35T | CAP ALUM 4700UF 63V RADIAL | E82D630VNN472MR35T.pdf | |
![]() | AD8361ARZ-REEL7 | AD8361ARZ-REEL7 AD Original | AD8361ARZ-REEL7.pdf | |
![]() | 19-213/Y2C-AP1Q2B/3T | 19-213/Y2C-AP1Q2B/3T ORIGINAL SMD or Through Hole | 19-213/Y2C-AP1Q2B/3T.pdf | |
![]() | K6R4016VID-uI100T00 | K6R4016VID-uI100T00 ORIGINAL SMD or Through Hole | K6R4016VID-uI100T00.pdf | |
![]() | K4J55323QI-BC14 GDDR3 8M*32 | K4J55323QI-BC14 GDDR3 8M*32 SAM FBGA | K4J55323QI-BC14 GDDR3 8M*32.pdf | |
![]() | C5750Y5V1H107ZT | C5750Y5V1H107ZT TDK SMD | C5750Y5V1H107ZT.pdf | |
![]() | DTZTT112.2A | DTZTT112.2A ROHM SMD or Through Hole | DTZTT112.2A.pdf | |
![]() | LM2678SX-ADJ NOPB | LM2678SX-ADJ NOPB NSC TO263-7 | LM2678SX-ADJ NOPB.pdf | |
![]() | TDA4632511 | TDA4632511 PHI SOP20 | TDA4632511.pdf | |
![]() | 1812B152K202NT 1812-152K 2KV | 1812B152K202NT 1812-152K 2KV W SMD or Through Hole | 1812B152K202NT 1812-152K 2KV.pdf | |
![]() | RL5S860 | RL5S860 RICOH TQFP100 | RL5S860.pdf |