창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLS3813TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLS3813PbF | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.95m옴 @ 148A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8020pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 195W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263AB) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRLS3813TRLPBF-ND IRLS3813TRLPBFTR SP001573098 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLS3813TRLPBF | |
관련 링크 | IRLS3813, IRLS3813TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C1005C0G1H121K050BA | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005C0G1H121K050BA.pdf | |
![]() | L-15W18NJV4E | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 80 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | L-15W18NJV4E.pdf | |
![]() | RR0816P-3322-D-51C | RES SMD 33.2KOHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816P-3322-D-51C.pdf | |
![]() | 4605X-101-821LF | RES ARRAY 4 RES 820 OHM 5SIP | 4605X-101-821LF.pdf | |
![]() | EVAL-ADF7025DBZ1 | BOARD EVAL ADF7025 902-928MHZ | EVAL-ADF7025DBZ1.pdf | |
![]() | 3310h-001-502l | 3310h-001-502l bourns SMD or Through Hole | 3310h-001-502l.pdf | |
![]() | FT1216MH | FT1216MH FAGOR SMD or Through Hole | FT1216MH.pdf | |
![]() | XC2S300E-4PQG208C | XC2S300E-4PQG208C XILINX QFP | XC2S300E-4PQG208C.pdf | |
![]() | KS51810-93 | KS51810-93 SAMSUNG SOP-24 | KS51810-93.pdf | |
![]() | SM6A01NSFP | SM6A01NSFP ORIGINAL TO220F | SM6A01NSFP.pdf | |
![]() | XF0013A-CMC6 | XF0013A-CMC6 XFMRS SMD | XF0013A-CMC6.pdf |