창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR120 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR120, IRLU120 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 4.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRLR120 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR120 | |
| 관련 링크 | IRLR, IRLR120 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CZRF52C3V9-HF | DIODE ZENER 3.9V 200MW 1005 | CZRF52C3V9-HF.pdf | |
![]() | RW2S0DAR150JE | RES SMD 0.15 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0DAR150JE.pdf | |
![]() | EEE1HAR33NR | EEE1HAR33NR PANASONIC SMD or Through Hole | EEE1HAR33NR.pdf | |
![]() | MLV1005E18N100 | MLV1005E18N100 etronic SMD | MLV1005E18N100.pdf | |
![]() | BLM15BD601PN1D | BLM15BD601PN1D MURATA SMD | BLM15BD601PN1D.pdf | |
![]() | 30P5.0-JMDSS-G-1-T | 30P5.0-JMDSS-G-1-T JST SMD or Through Hole | 30P5.0-JMDSS-G-1-T.pdf | |
![]() | tda7296a | tda7296a st dip | tda7296a.pdf | |
![]() | 6368116-2 | 6368116-2 TYCO SMD or Through Hole | 6368116-2.pdf | |
![]() | ADM3485EARREEL7 | ADM3485EARREEL7 AD SMD or Through Hole | ADM3485EARREEL7.pdf | |
![]() | 1210OB154K101NT | 1210OB154K101NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210OB154K101NT.pdf | |
![]() | 594D106X0050E2T | 594D106X0050E2T VISHAY/SPRAGUE D | 594D106X0050E2T.pdf |