창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW2S0DAR150JE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.15 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 2W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±90ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 4524 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 받침용 | |
| 크기/치수 | 0.455" L x 0.240" W(11.56mm x 6.10mm) | |
| 높이 | 0.231"(5.87mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | OHRW2S0DAR150JE OHRW2S0DAR150JE-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW2S0DAR150JE | |
| 관련 링크 | RW2S0DA, RW2S0DAR150JE 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | B41041A2157M | 150µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B41041A2157M.pdf | |
![]() | 416F40033AKT | 40MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40033AKT.pdf | |
![]() | R6714-13 | R6714-13 CONEXANT QFP | R6714-13.pdf | |
![]() | SECS1L05C-S.6711DG | SECS1L05C-S.6711DG ORIGINAL SMD or Through Hole | SECS1L05C-S.6711DG.pdf | |
![]() | 7205A868SL53S | 7205A868SL53S ORIGINAL CPGA495 | 7205A868SL53S.pdf | |
![]() | C4760 | C4760 ORIGINAL TO-3PL | C4760.pdf | |
![]() | TC55NVG1D4BTG00 | TC55NVG1D4BTG00 TOSHIBA SMD or Through Hole | TC55NVG1D4BTG00.pdf | |
![]() | ISL22444UFR20Z-TK | ISL22444UFR20Z-TK Microsemi QFP | ISL22444UFR20Z-TK.pdf | |
![]() | 1812-2.49M | 1812-2.49M ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-2.49M.pdf | |
![]() | F5301M | F5301M ORIGINAL SOP | F5301M.pdf | |
![]() | S30DG04BO | S30DG04BO IR TO-209AC(TO-94) | S30DG04BO.pdf | |
![]() | NF6150LENA2 | NF6150LENA2 NVIDIA SMD or Through Hole | NF6150LENA2.pdf |