창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL3713PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL3713PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRL3713PBF Saber Model IRL3713PBF Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 38A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5890pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL3713PBF 64-0082PBF 64-0082PBF-ND SP001567066 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL3713PBF | |
| 관련 링크 | IRL371, IRL3713PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
|  | MKP1840468256G | 0.68µF Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP1840468256G.pdf | |
|  | GEFORCE 6800 A2 | GEFORCE 6800 A2 NVIDIA SMD or Through Hole | GEFORCE 6800 A2.pdf | |
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|  | FM20L08-6O-TG | FM20L08-6O-TG RAMTRON SMD or Through Hole | FM20L08-6O-TG.pdf | |
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|  | MC33401 | MC33401 MOTOROLA DIP8 | MC33401.pdf | |
|  | NCP18WB333F03RB | NCP18WB333F03RB murata SMD | NCP18WB333F03RB.pdf | |
|  | HB-62700 | HB-62700 ORIGINAL SMD or Through Hole | HB-62700.pdf | |
|  | 1N4735(6.2V) | 1N4735(6.2V) TC/ON SMD or Through Hole | 1N4735(6.2V).pdf | |
|  | IRF23N20D | IRF23N20D IR D2-pak | IRF23N20D.pdf |