Infineon Technologies IRFR9N20DPBF

IRFR9N20DPBF
제조업체 부품 번호
IRFR9N20DPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
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내부 부품 번호EIS-IRFR9N20DPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFR9N20DPbF, IRFU9N20DPbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 조립/원산지Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.4A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs380m옴 @ 5.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs27nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds560pF @ 25V
전력 - 최대86W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 75
다른 이름*IRFR9N20DPBF
SP001565076
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFR9N20DPBF
관련 링크IRFR9N2, IRFR9N20DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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