창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBC40LCSTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBC40LCSTRL | |
| 관련 링크 | IRFBC40, IRFBC40LCSTRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | EGPD630ELL122MU35H | 1200µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 33 mOhm 2000 Hrs @ 135°C | EGPD630ELL122MU35H.pdf | |
![]() | VLF10040T-470M1R7 | 47µH Shielded Wirewound Inductor 1.7A 124 mOhm Max Nonstandard | VLF10040T-470M1R7.pdf | |
![]() | CRCW06032R87FKEA | RES SMD 2.87 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06032R87FKEA.pdf | |
![]() | RCL040643R2FKEA | RES SMD 43.2 OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL040643R2FKEA.pdf | |
![]() | MRS16000C5101FRP00 | RES 5.1K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C5101FRP00.pdf | |
![]() | MBA02040C1332FRP00 | RES 13.3K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1332FRP00.pdf | |
![]() | LCHD#PBF | LCHD#PBF LT DFN-6P | LCHD#PBF.pdf | |
![]() | MAX5917BESE+ | MAX5917BESE+ MAXIM SOP16 | MAX5917BESE+.pdf | |
![]() | 18LF877A-I/P | 18LF877A-I/P MICROCHIP SMD or Through Hole | 18LF877A-I/P.pdf | |
![]() | PT2243 | PT2243 ORIGINAL SOP | PT2243.pdf |