창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF840STRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF840S, SiHF840S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF840STRRPBF | |
| 관련 링크 | IRF840S, IRF840STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 445A35E14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35E14M31818.pdf | |
![]() | MP4-1E/1L/1L/00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1E/1L/1L/00.pdf | |
![]() | IXGH30N60B2 | IXGH30N60B2 IXYS TO-247 | IXGH30N60B2.pdf | |
![]() | C3216JB2E153KT | C3216JB2E153KT TDK SMD or Through Hole | C3216JB2E153KT.pdf | |
![]() | 17JE-13090-27 (D28) | 17JE-13090-27 (D28) ORIGINAL SMD or Through Hole | 17JE-13090-27 (D28).pdf | |
![]() | 74178PC | 74178PC REI Call | 74178PC.pdf | |
![]() | IXB427WJ | IXB427WJ SHARP TQFP | IXB427WJ.pdf | |
![]() | 24.576M-ASE-LCT-CT | 24.576M-ASE-LCT-CT ABR SMD or Through Hole | 24.576M-ASE-LCT-CT.pdf | |
![]() | BCR5AM-14L | BCR5AM-14L MITSUBISHI TO-220 | BCR5AM-14L.pdf | |
![]() | AEIC38121064 | AEIC38121064 ORIGINAL DIP | AEIC38121064.pdf | |
![]() | SSTUF32864EHLFT/ | SSTUF32864EHLFT/ ICS BGA92 | SSTUF32864EHLFT/.pdf | |
![]() | BD6756GLV-E2 | BD6756GLV-E2 ROHM BGA | BD6756GLV-E2.pdf |