창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7313TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7313PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF7313 Saber Model IRF7313 Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF7313PBFTR SP001562160 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7313TRPBF | |
| 관련 링크 | IRF7313, IRF7313TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SRN2012-R24M | 240nH Unshielded Wirewound Inductor 3.5A 33 mOhm Max Nonstandard | SRN2012-R24M.pdf | |
![]() | YC162-JR-0743RL | RES ARRAY 2 RES 43 OHM 0606 | YC162-JR-0743RL.pdf | |
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![]() | SMBJ7V5 | SMBJ7V5 ORIGINAL SMD or Through Hole | SMBJ7V5.pdf | |
![]() | D97517000 | D97517000 TYCO SOP | D97517000.pdf | |
![]() | MC100EL14DWR2G=100EL14 | MC100EL14DWR2G=100EL14 ON SOP20 | MC100EL14DWR2G=100EL14.pdf | |
![]() | 354-0254/01A | 354-0254/01A ORIGINAL ZIP10 | 354-0254/01A.pdf | |
![]() | M37733S4HLP | M37733S4HLP MIT QFP | M37733S4HLP.pdf | |
![]() | R473007T1 | R473007T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | R473007T1.pdf | |
![]() | 1933286 | 1933286 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1933286.pdf |