창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7313TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7313PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7313 Saber Model IRF7313 Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7313PBFTR SP001562160 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7313TRPBF | |
관련 링크 | IRF7313, IRF7313TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
PLT0603Z4370LBTS | RES SMD 437 OHM 0.01% 0.15W 0603 | PLT0603Z4370LBTS.pdf | ||
MC7447 | MC7447 MOTO BGA | MC7447.pdf | ||
F245S | F245S N/A TSSOP | F245S.pdf | ||
STR-Z2756 | STR-Z2756 SANKEN SMD or Through Hole | STR-Z2756.pdf | ||
TPS77625 | TPS77625 TI SOP8 | TPS77625.pdf | ||
B78108S1153K000 | B78108S1153K000 EPCOS DIP | B78108S1153K000.pdf | ||
9751HY | 9751HY NEC DIP28 | 9751HY.pdf | ||
KS9220 | KS9220 SAMSUMG SMD or Through Hole | KS9220.pdf | ||
TG1500 | TG1500 ORIGINAL DIP | TG1500.pdf | ||
2SC5343UFY(DY5) | 2SC5343UFY(DY5) AUK SOT-323 | 2SC5343UFY(DY5).pdf | ||
P9S12HY64J0MLL | P9S12HY64J0MLL FREESCALE LQFP100 | P9S12HY64J0MLL.pdf | ||
LM788CCVF-J | LM788CCVF-J NS QFP | LM788CCVF-J.pdf |