창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1405ZLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF1405Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF1405ZLPBF SP001570006 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF1405ZLPBF | |
관련 링크 | IRF1405, IRF1405ZLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0603D8R2CXCAJ | 8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D8R2CXCAJ.pdf | ||
DF2S30CT,L3F | TVS DIODE 23VWM | DF2S30CT,L3F.pdf | ||
AISC-1008F-8R2J-T | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 3.3 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008F-8R2J-T.pdf | ||
CRG0805F30K | RES SMD 30K OHM 1% 1/8W 0805 | CRG0805F30K.pdf | ||
13031 | 13031 ALLEGRO TO-92 | 13031.pdf | ||
AO48200 | AO48200 AOSMD SOP-8 | AO48200.pdf | ||
K803216UTC | K803216UTC NA SMD or Through Hole | K803216UTC.pdf | ||
NIC9N05TS1 | NIC9N05TS1 ON SMD or Through Hole | NIC9N05TS1.pdf | ||
CG6936DM | CG6936DM Cypress SMD or Through Hole | CG6936DM.pdf | ||
E3002A1-1 | E3002A1-1 N/A PLCC | E3002A1-1.pdf | ||
6124CG101K500NT | 6124CG101K500NT Fenghua SMD | 6124CG101K500NT.pdf | ||
ERZC32EK681 | ERZC32EK681 PANASONIC SMD or Through Hole | ERZC32EK681.pdf |